| 研究課題/領域番号 |
19560012
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
内富 直隆 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (20313562)
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| 研究分担者 |
加藤 有行 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (10303190)
神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (10134975)
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| 連携研究者 |
加藤 有行 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (10303190)
神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (10134975)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 結晶工学 / 結晶成長 / 表面・界面物性 / 半導体 / 界面・界面物性 |
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| 研究概要 |
電子の電荷とスピンを利用する半導体スピントロニクスの実現には、半導体プロセスと整合し室温で強磁性を発現する半導体が求められる。本研究では、インジウムリン基板と格子整合するカルコパイライト半導体ZnSnAs_2薄膜のエピタキシャル成長技術の確立とその薄膜の物性評価を行った。引き続き、Mn ドープしたZnSnAs_2薄膜の結晶成長を行い室温で強磁性を示すことが確認された。このことから、Mn ドープZnSnAs_2薄膜はインジウムリン基板と格子整合する室温強磁性半導体として、新しいデバイス応用の可能性を示している
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