研究課題
基盤研究(C)
室温で高スピン偏極電流を生成可能なデバイスの材料として, 強磁性絶縁体とハーフメタルを理論的に検討した。ダブル・ペロブスカイトLa_2NiMnO_6, スピネル・フェライトFe_2O_3, ホイスラー合金Co_2MnSiと(Fe-Mn)_3Si, バリスティック擬ハーフメタルCoFeB/MgOの電子状態をバンド計算し, スピン依存伝導特性を調べた。その結果から, これらの材料を用いることで高いスピン偏極率を持つ電流を生成可能であることが明らかとなった。
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