| 研究課題/領域番号 |
19560015
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
尾関 雅志 宮崎大学, 工学部, 教授 (70336288)
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| 研究分担者 |
福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 准教授 (10264368)
前田 幸治 宮崎大学, 工学部, 准教授 (50219268)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 結晶成長 / ナノ構造 / 超音速分子線 / GaAs / 微細構造 / 選択成長 / 塩化メチル / ガリウム砒素 |
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| 研究概要 |
原料分子のエネルギーを制御することにより、ガリウム砒素の微細構造作製技術の可能性を検討した。本技術に最適なGa原料分子とAs原料分子として、それぞれトリイソブチルガリウムおよびトリスジメチルアミノ砒素を選択した。これら原料を5eV以上のエネルギーに加速して、ガリウム砒素の代表的な結晶面に照射し、結晶成長過程を解析した。得られた結果と分子線入射方向を精密に制御することにより所望の結晶面を選択的に成長させる可能性を示した。
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