InAsSbN/GaAsSbN新量子井戸構造を用いた赤外光素子の研究

• 研究課題/領域番号: 19560016
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 大阪府立大学
• 研究代表者: 河村 裕一 大阪府立大学, 産学官連携機構, 教授 (80275289)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• 研究課題ステータス: 完了 (2009年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2009年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2007年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: ヘテロ構造 / 赤外光素子 / 化合物半導体 / 量子井戸構造 / 分子線成長法 / 環境計測 / リモートセンシング / 医療応用 / 食品検査

研究概要

新量子井戸構造を用いた光デバイスとして、InGaAs(N)/GaAsSbタイプII光検出器、およびInAsSbN歪量子井戸レーザを検討した。その結果、InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造を用いることにより波長2μmの2次元イメージセンサーの室温動作を実現した。またInAsSbN歪量子井戸レーザにおいて210Kで波長2.3μmの発振を実現した。

研究成果

• [雑誌論文] Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Yoshikawa, K. Miura, Y. Iguchi, Y. Kawamura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth vol.311 ページ: 1745-1745
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Yoshikawa, K.Miura, Y.Iguchi, Y.Kawamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 1745-1747
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP-based InGaAsSbN quantum well laser diodes in 2μm wavelength region (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamura
  • 雑誌名: IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems Vol.128No.5 ページ: 727-727
  • NAID: 10021132313
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Sb incorporation on electroluminescence of InGaAsSbN quantum well diodes on GaAs substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamura, M. Nishino
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys vol.47No.8 ページ: 6302-6302
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Sb incorporation on electroluminescence of InGaAsSbN quantum well diodes on GaAs substrates (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamura, M. Nishino
  • 雑誌名: Japanese. Journal of Applied. Physics 47 ページ: 6302-6303
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP-based InGaAsSbN quantum well laser diodes in 2μm wavelengthregion (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamura
  • 雑誌名: IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 128 ページ: 727-233
  • NAID: 10021132313
  • 査読あり
• [雑誌論文] EL of InGaAsN/GaAsSb Type II quanrum well light emitting diodes grown on InP by molecular beam epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: Y, Kawamura, N. Inoue
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46,6A ページ: 457-457
  • 査読あり
• [雑誌論文] Properties of InAsSbN Quantum Well Laser Diodes Operating at 2μm Wavelength Region Grown on InP Substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamra, N. Inoue
  • 雑誌名: J. Crystal Growth
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates by adding antimony (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, H. Okada, Y. Kawamura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic arrangement in an MBE-grown CuPt-B type ordered GaAsSb layer as observed by cross sectional scanning tunneling microscope (2007)
  • 著者名/発表者名: Gomyo, S. Ohkouchi, Y. Kawamura
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 301 ページ: 47-47
• [雑誌論文] Properties of InAsSbN Quantum Well Laser Diodes Operating at 2 μm Wavelength Region Grown on InP Substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamra and N. Inoue
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 301 ページ: 963-966
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, H. Okada, Y. Kawamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 301 ページ: 575-578
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electroluminescence of InGaAsN/GaAsSb Type II quanrum well light emitting diodes grown on InP by molecular beam epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawamura, N. Inoue
  • 雑誌名: Japanese Joumal of Applied Physics 46 ページ: 2280-3381
  • 査読あり
• [学会発表] 「InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸を用いた非冷却赤外2次元センサアレイ」講演予稿第1分冊 (2010)
  • 著者名/発表者名: 三浦広平, 森大樹, 永井陽一, 稲田博史, 猪口康博, 河村裕一
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-20
• [学会発表] 「SiCの赤外吸収(2)」講演予稿第1分冊 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 須田良幸, 菅谷孝夫, 河村裕一
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 「低炭素濃度Si結晶中の赤外吸収(7)」講演予稿第1分冊 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 「InP基板上のInGaAsSbN層のアニール効果」講演予稿第1分冊 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吉川真央, 三浦広平, 猪口康博, 河村裕一
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] InP基板上InAsSbN単一量子井戸のMBE成長」講演予稿集第1分冊 (2010)
  • 著者名/発表者名: 西野正嗣, 河村裕一
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] InP基板上のMBE成長GaAsSbの評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平池龍馬、三浦広平、猪口正博、河村裕一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-17
• [学会発表] 「低炭素濃度Si結晶中の赤外吸収(6)」講演予稿集第1分冊 (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 「InGaAsP/InAlAsP MQW層の評価」講演予稿集第1分冊 (2009)
  • 著者名/発表者名: 鹿山昌代, 河村裕一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 「InP基板上のMBE成長GaAsSbの評価」講演予稿集第1分冊 (2009)
  • 著者名/発表者名: 平池龍馬, 三浦広平, 猪口正博, 河村裕一
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] InP基板上のMBE成長InGaAs/GaAsSb歪補償タイプII多重量子井戸層の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 米澤康弘, 河村裕一, 三浦広平, 猪口康博
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] SiC薄膜の赤外吸収 (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 須田良幸, 山口雄一郎, 河村裕一, 久保田嘉孝
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] 低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射誘起複合体の赤外吸収 (2009)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 後藤安則, 杉山隆英, 河村裕一, 久保田嘉孝
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸を受光層に用いた低暗電流pinフォトダイオード"講演予稿第1分冊 (2009)
  • 著者名/発表者名: 三浦広平, 永井陽一, 稲田博史, 猪口康博, 坪倉光隆, 河村裕一
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波
• [学会発表] InP基板上のMBE成長InGaAs/GaAsSb歪補償タイプII多重量子井戸層の評価"講演予稿集第1分冊 (2009)
  • 著者名/発表者名: 米澤康弘, 河村裕一, 三浦広平, 猪口康博
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波
• [学会発表] 低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射複合体の赤外吸収"講演予稿集第1分冊 (2008)
  • 著者名/発表者名: 井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
  • 学会等名: 第69会応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] InP上にMBE成長した厚いInGaAsSbNの光学的評価"講演予稿集第1分冊 (2008)
  • 著者名/発表者名: 吉川真央, 三浦広平, 永井陽一, 猪口康博, 河村裕一
  • 学会等名: 第69会応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2008-09-05
• [学会発表] InP基板上のGaAsSbとInGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸のtem観察"講演予稿集第1分冊 (2008)
  • 著者名/発表者名: 河村裕一, 三浦広平, 坪倉光隆, 岡田浩
  • 学会等名: 第69会応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2008-09-03
• [学会発表] InP基板上のInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードの発光特性"講演予稿集第1分冊 (2008)
  • 著者名/発表者名: 河村裕一, 井上直久
  • 学会等名: 第68会応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道
  • 年月日: 2008-09-03
• [学会発表] MBE growth of thick InGaAsN layerslattice-matched to InP substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, M. Tsubokura, H. Okada, Y. Kawamura
  • 学会等名: The 19^<th> International Conference on InP and related materials
  • 発表場所: 松江市
  • 年月日: 2007-05-17
• [図書] 光技術動向調査報告書 (2007)
  • 著者名/発表者名: 河村 裕一(分担執筆)
  • 総ページ数: 450
  • 出版者: 光産業技術振興協会
• [備考]
  • URL: http://tokachi.riast.osakafu-u.ac.jp/%7Esentan4/home.html
• [産業財産権] 半導体素子 (2008)
  • 発明者名: 河村裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 出願年月日: 2008-08-07
• [産業財産権] 半導体素子 (2008)
  • 発明者名: 河村裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 産業財産権番号: 2008-119978
  • 出願年月日: 2008-08-10
• [産業財産権] 新規受光素子 (2007)
  • 発明者名: 河村裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 出願年月日: 2007-04-10
• [産業財産権] 受光デバイス (2007)
  • 発明者名: 河村裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 出願年月日: 2007-05-15
• [産業財産権] 半導体ウェハ・その製造 (2007)
  • 発明者名: 河村裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 出願年月日: 2007-07-07
• [産業財産権] 光受光素子 (2007)
  • 発明者名: 河村 裕一
  • 権利者名: 大阪府立大学
  • 産業財産権番号: 2007-190281
  • 出願年月日: 2007-07-23