| 研究課題/領域番号 |
19560022
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
坂下 満男 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30225792)
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| 研究分担者 |
酒井 朗 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
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| 連携研究者 |
酒井 朗 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2007年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | C-AFM / キャリアセパレーション / ゲート絶縁膜 / MOSFET / 半導体デバイス / 構造ゆらぎ / 電流検出型原子間力顕微鏡 / ナノ領域 / 劣化機構 / 次世代半導体デバイス |
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| 研究概要 |
集積回路の基本素子であるMOSFETのゲート絶縁膜の劣化機構を解明するために、C-AFMによるキャリアセパレーション測定を可能とする手法の提案を行い、その測定技術の確立を目的に本研究を行った。本手法で用いる観察試料の設計および作製を行い、その観察試料の評価結果から、良好な電流-電圧特性を得ることができた。しかしながら、C-AFM観察では変位検出のためのレーザー光の漏れが観察試料に照射され、光励起電流によって観察電流が測定できず、本手法の実現には光が全く照射されない環境でのC-AFM観察が重要であることが明らかとなった。
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