| 研究課題/領域番号 |
19560023
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
田中 信夫 (2008) 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
趙 星彪 (2007) 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 研究員 (90318783)
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| 研究分担者 |
田中 信夫 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 電子顕微鏡 / HR-profile TEM / HAADF-STEM / Geナノドット / 極薄Si酸化膜 / 臨界核サイズ / 構造安定モデル |
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| 研究概要 |
本研究では、実空間かつ原子レベルでその場観察できるUHV in-situ HR-profile TEM(UHV in-situ high-resolution transmission electron microscopy in the profile-imaging geometry)と、試料の原子コラムレベル毎の組成分析や原子コラム位置を直視観察できるHAADF-STEM(high angle annular dark field-scanning resolution transmission electron microscopy)を用いて、Si基板に形成した極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの形成過程と、GeナノドットとSi界面近傍における微細構造、および原子拡散現象などを詳細に評価した。その結果、本系におけるGeナノドット成長様式およびGeナノドット直下にGe-rich layerの存在する新しい構造モデルを提案することができた
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