| 研究課題/領域番号 |
19560028
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 石川工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
山田 健二 石川工業高等専門学校, 電子情報工学科, 准教授 (50249778)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | ビーム応用 / 表面 / 準安定原子誘起電子分光 / 準安定原子脱励起分光 / オージェ脱励起過程 / 電子移行 |
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| 研究概要 |
固体表面最外層の電子状態を捉える方法として、励起した準安定ヘリウム原子が固体表面で脱励起する現象を利用できる。ところが表面-原子間で生じる電子放出プロセスは複雑で、解釈が困難になるという課題がある。広範囲速度分布型の準安定原子源があれば、この原子源によって表面-原子間の電子移行プロセスを時間依存性によって明らかにできると考え、この実験装置の開発を主に行なった。この結果、パルス放電よる準安定原子源の生成ができた。またヘリウムイオン銃と放電電源を製作できた。このイオン源を用いた実験は、準安定原子源の放電電極部分を入れ替えることで実験できる。
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