研究課題/領域番号 |
19560029
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
石井 真史 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ビームセンター, 主任研究員 (90281667)
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研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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キーワード | 界面 / 表面・界面物性 / 放射線、X線、粒子線 / X線反射率 / X線光電子分光 / 誘電緩和測定 / イットリア / 金 / 格子欠陥 / メモリー / プラチナ |
研究概要 |
メモリ効果としての応用が期待される巨大な抵抗変化を伴う界面の酸化・還元反応について、動的解析と制御を試みた。X線回折による結晶性評価、メモリ特性、X線反射率によるデバイスの層構造の評価、誘電緩和による構造と電気特性の相関など、統合分析を行った。界面化学反応の活性中心を生み出す核の形成制御、酸化・還元のバランスをとる複合酸化物の形成など、新しいデバイス実現へのアプローチを示した。
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