X線強度ゆらぎ分光法による結晶成長ダイナミクス

• 研究課題/領域番号: 19560030
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
• 研究代表者: 高橋 正光 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (00354986)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• 研究課題ステータス: 完了 (2009年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2009年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2007年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: 分子線エピタキシー / コヒーレントX線 / その場測定 / 結晶成長 / 放射線、X線、粒子線 / MBE、エピタキシャル

研究概要

本研究では、X線強度ゆらぎ分光法を用い、分子線エピタキシー成長中に見られる動的現象を解析した。実験は、放射光施設SPring-8のビームラインBL11XUにおいて、分子線エピタキシー結晶成長装置と一体化したX線回折計を用い、化合物半導体単結晶薄膜を成長させながら、試料基板からのX線反射をCCD検出器を用いて測定した。その結果、コヒーレントX線による反射に特有のスペックルパターンの時間変化を通じて、結晶成長にともなう表面構造の変化をとらえることに成功した。