| 研究課題/領域番号 |
19560053
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
大場 弘則 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (60354817)
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| 研究分担者 |
横山 淳 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主席 (20354821)
佐伯 盛久 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (30370399)
山本 博之 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (30354822)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | レーザーアブレーション / プラズマ / ダブルパルス / 窒化ホウ素 / 同位体濃縮 |
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| 研究概要 |
パルスレーザー照射による窒化ホウ素薄膜の堆積において、複数のレーザー光を用いて照射タイミングを変えることによりホウ素および窒素のイオン生成量と価数を制御できることが見出された。この結果に基づいて、生成したイオンのエネルギーを選別し、これらイオンの軌道を制御して基板に蒸着させる成膜を試みた。イオン蒸着の結果、ターゲット材料からの化学組成ずれのほとんどない窒化ホウ素薄膜を作製できることが明らかになった。
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