研究課題
基盤研究(C)
ナノデバイスの実現のためナノメートルの加工スケール,精密位置制御, 高アスペクト比(加工深さ/穴径) 加工技術の開発を,カーボンナノチューブ探針を走査型トンネル電子顕微鏡の探針として用いた場合の可能性について検討を行った. 加工深さ286nm, 穴径63nm, アスペクト比4.5の穴加工が実現し, 従来のタングステン探針に対し, 45倍向上した. その加工原理は電解蒸発と考察された.
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Materials Transactions Vol. 49, No. 6
ページ: 1298-1302
10021147448
精密工学会誌 Vol.73
ページ: 1149-1153
110006403576