| 研究課題/領域番号 |
19560303
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電気機器工学
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| 研究機関 | 神奈川工科大学 |
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研究代表者 |
荒井 俊彦 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (60130796)
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| 研究分担者 |
後藤 みき 神奈川工科大学, 工学部, 講師 (70195949)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | 光源技術 / ディスプレイ / 液晶バックライト / ネオンプラズマ / 冷陰極 / MgO薄膜 / 放電開始電圧 / 二次電子放出係数 / ダイヤモンド電極 / Mg0薄膜 |
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| 研究概要 |
2007年度および2008年度を通して液晶バックライトに用いる冷陰極蛍光ランプの電極応用としてダイヤモンド基板上にMgOを成膜した複合電極の可能性を検討した。研究成果の概要を以下に列記する。
(1) ダイヤモンド電極上に成膜するMgO薄膜の堆積条件(スパッタリングガスの混合比、基板温度、MgO膜厚)を変えて、製作したMgO薄膜の二次電子放出係数を明らかにし、成膜の最適条件を確立した。
(2) 複合電極の下地として用いるダイヤモンド電極の放電特性への電極表面粗さの影響を検討した結果、表面を粗くすることにより二次電子放出係数が大きくなることを見出した。
(3) Ne/Xe混合ガスプラズマからのXe 原子の共鳴線147nmの真空紫外発光強度はXeガスを30%添加で最大となることがわかった。
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