| 研究課題/領域番号 |
19560308
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北見工業大学 |
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研究代表者 |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
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| 研究分担者 |
武山 真弓 (武山 眞弓) 北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2007年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 薄膜 / ZrB_2 / 化合物 / 配線 / バリヤ / ZrB2 / 配緑 |
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| 研究概要 |
Si-ULSIにおけるCu配線の新規な極薄拡散バリヤ材料としての応用を目的としてZr-B薄膜の低温作製を検討した。複合焼結ターゲットを用いたスパッタにより得られたZr-B薄膜はZrB_2を主な相としており、SiO_2上ではナノ結晶組織であるが、Cu薄膜上ではファイバー組織を呈し、これに伴い膜の抵抗率は基板依存性を示した。膜の組成であるB/Zr比は2であったが、酸素、窒素、炭素の不純物の混入が見られた。SiO_2上のナノ結晶構造のZr-B膜は500℃30分の熱処理においても安定であった。これを踏まえ、3-nm厚さのZr-B膜をCuとSiO_2間のバリヤとして適用し、そのバリヤ特性を検証したところ、極めて安定なバリヤ特性が得られた。これらのことより、Zr-B薄膜はSi-ULSIのバリヤとして有望な材料となることを検証できた。
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