| 研究課題/領域番号 |
19560314
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
田畑 彰守 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20227250)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2008年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2007年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | ホットワイヤー化学気相成長法 / ラジカル源 / ナノ結晶 / 炭化シリコン / ドーピング / N_2分解 |
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| 研究概要 |
シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した
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