| 研究課題/領域番号 |
19560318
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 佐賀大学 |
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研究代表者 |
西尾 光弘 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60109220)
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| 研究分担者 |
小川 博司 佐賀大学, 名誉教授 (10039290)
郭 其新 佐賀大学, 理工学部, 教授 (60243995)
田中 徹 佐賀大学, シンクロトロン応用研究センター, 助教 (20325591)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2007年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | ZnTe系材料 / LED / 高効率欠損領域 / 高効率欠損波長領域 |
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| 研究概要 |
ZnTeをベースとした材料系(Zn_(1-x)Mg_xTe)を用いて高効率欠損波長領域におけるLEDの性能向上を実現した。エピタキシャル成長用基板の品質向上やエピタキシャル成長膜の平坦化、高品質化が実現できた。特にド-ピング量、アニ-ル処理条件の最適化により、高キャリア密度や発光効率向上が達成できた。更に、A1濃度制御技術の開発や光取り出し構造の最適化などが果され、ダブルヘテロ構造を用いたLEDの作製により、基本特性が掌握できた。
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