| 研究課題/領域番号 |
19560321
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
犬島 喬 東海大学, 工学部, 教授 (20266381)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 電気 / 電子材料 / 電界効果MOCVD / AIN / 結晶極性 / MOCVD / 電界効果 / ナイトライド半導体 / InN |
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| 研究概要 |
ナイトライド半導体AlNとInNの結晶作成時と降温時に結晶c-軸方向に高電界を印加して結晶の分極方向を制御することを試みた。MOCVD装置内に設置した石英製インナー管の基板上部3ミリの位置に上部Mo電極を配し、結晶を成長させるMoサセプタを下部電極としてこの両電極間に1kV/cmの電界を印加した。AlNでは明確な電界効果が観測され、電界の方向にそろった単一ドメイン構造結晶を得たが、InNについては明確な効果は観測されなかった。
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