研究課題/領域番号 |
19560333
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 宇都宮大学 |
研究代表者 |
石井 清 宇都宮大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30134258)
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研究分担者 |
佐久間 洋志 宇都宮大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40375522)
齋藤 和史 宇都宮大学, 大学院・工学研究科, 助教 (70251080)
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研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2007年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | 磁気記録媒体 / 垂直磁気記録媒体 / スパッタ膜 / ガスフロースパッタ法 / 鉄白金 / ガスフロースパヅタ法 / 低温規則化 / Co-Pt / Fe-Pt |
研究概要 |
本研究では、宇都宮大学独自のガスフロースパッタ法を用いることにより、次世代の超高密度ハードディスク磁気記録媒体の実現を目指して、ナノ磁性粒子(次世代では太さが10nm、次次世代では5nm程度の縦長粒子または球形粒子)を敷き詰めた構造のナノ粒子薄膜の開発を目指した。その結果、幅約10 nmの柱状の粒子からなるCo-Ptナノ粒子構造薄膜作製に成功した。さらに、より大きな結晶磁気異方性を有するL10構造FePtについて同様な粒子構造を実現することを目指した。通常のスパッタ法では基板を加熱しないとL10構造の薄膜は得られないが、ガスロースパッタ法では基板加熱のない状態においても、規則度は低いがL10構造に規則化した薄膜が成長することを見出し、ナノ粒子構造の形成の可能性を明らかにした。
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