| 研究課題/領域番号 |
19560344
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
芝原 健太郎 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (50274139)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2008年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2007年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / プレアモルファス化 / 浅接合 / 淺接合 / キセノン / ゲルマニュウム |
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| 研究概要 |
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
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