研究課題/領域番号 |
19560358
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 中部大学 |
研究代表者 |
高橋 誠 中部大学, 工学部, 教授 (10236317)
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研究分担者 |
脇田 紘一 中部大学, 工学部, 教授 (20301640)
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研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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配分額 *注記 |
2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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キーワード | ニオブ酸リチウム / 強誘電体 / ゾルゲル法 / 希土類 / 光導波路 / レーザ / ソルゲル法 / 光デバイス / 屈折率 / エピタキシャル成長 / ユーロピウム / フォトルミネッセンス |
研究概要 |
ゾルゲル法により作製した希土類(Er,Eu):Ti共ドープLiNbO_3厚膜を用いて光導波路型レーザ作製において重要となる、(1)各種欠陥および発光特性と希土類濃度との関係、(2)各種光導波路作製方法について検討を行った。膜中のTi(IV)イオンと希土類(III)イオンのモル濃度比が、3:1および3:2の場合、希土類イオンからの発光強度が著しく増幅される現象を見出した。また、ゾルゲル法で作製した膜をフェムト秒レーザで加工することによって、容易にチャンネル型光導波路が作製できることを明らかにした。
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