| 研究課題/領域番号 |
19560362
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
楠 正暢 近畿大学, 生物理工学部, 准教授 (20282238)
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| 研究分担者 |
藤巻 朗 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20183931)
斗内 政吉 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
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| 連携研究者 |
藤巻 朗 名古屋大学大学院, 工学研究科, 教授 (20183931)
斗内 政吉 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2007年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 超伝導 / ナノブリッジ / 単一磁束量子 / インターフェース |
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| 研究概要 |
サブテラヘルツ領域で動作する集積回路として注目されている、単一磁束量子(SFQ)回路の光出力インターフェースの基本素子として、高温超伝導ナノブリッジの作製プロセスの開発を行った。数100nm程度のスケールを有する高温超伝導ナノブリッジを用いた微小ループを基本構造とし、そこに閉じ込めたSFQを磁気光学効果により検出するデバイスを想定し、その作製法を検討した。さらにナノブリッジを光入力デバイスとして動作させることも試み、その光応答を確認した。
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