| 研究課題/領域番号 |
19560664
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
金属物性
|
|---|
| 研究機関 | 大阪大学 |
|---|
研究代表者 |
石丸 学 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (00264086)
|
|---|
| 研究分担者 |
平田 秋彦 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90350488)
内藤 宗幸 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (10397721)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2007年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
|
|---|
| キーワード | 解析・評価 / アモルファス / 透過電子顕微鏡 / 炭化ケイ素 / 非晶質 / 動径分布解析 / 構造緩和 / スエリング |
|---|
| 研究概要 |
照射誘起非晶質炭化ケイ素(SiC)の構造および構造緩和過程を先端的電子顕微鏡技術により調べた。非晶質SiCは第1隣接においてSi-C異種原子対に加え、結晶には存在しないC-C、Si-Si同種原子対を有することが明らかとなった。熱処理に伴い異種原子対は増加するのに対し同種原子対は減少し、構造緩和により化学的短範囲規則性が変化することが確認された。Si-Si原子対はC-C原子対よりも構造緩和により早く消失し、この同種原子対間の消滅速度の違いにより非晶質SiCの体積は大きく変化することが示唆された
|
