| 研究課題/領域番号 |
19560669
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
金属物性
|
|---|
| 研究機関 | 石巻専修大学 |
|---|
研究代表者 |
吉原 章 石巻専修大学, 理工学部, 教授 (40166989)
|
|---|
| 研究分担者 |
大沼 繁弘 財団法人電気磁気材料研究所, 主任研究員 (50142633)
|
|---|
| 研究協力者 |
大沼 繁弘 財団法人電気磁気材料研究所, 主任研究員 (50142633)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
|
|---|
| キーワード | ブリルアン散乱 / グラニュラー磁性膜 / スピン波 / 交換相互作用 / 電気抵抗 / マグノン抵抗 / 磁気励起 / 緩和 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では金属/非金属グラニュラー強磁性膜TM-Al-O(TM=Fe, Co)中に熱励起されたスピン波を光散乱により観測した。振動数の磁場変化から交換磁場HEを決定し、室温における電気抵抗率ρと逆二乗則ρ∝HE-2が成立していることを見出した。また、これらの試料の電気抵抗率ρを300 K~4.2 Kまで測定し、ρが140 K以下の広い温度範囲ではT2項が、さらに低温では-logT項が支配的になることを見出した。TM-Al-O強磁性膜の電気抵抗における-logT項の存在は以前に報告されていたが、100 Kを超す広い温度範囲でのT2項の確認は世界初である。
|
