| 研究課題/領域番号 |
19560678
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
堤井 君元 九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 准教授 (10335995)
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| 研究分担者 |
岡田 勝行 物質・材料研究機構, ナノセラミックスセンター, 主幹研究員 (10354432)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2007年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | カーボン材料 / プラズマ / 半導体 / ラジカル / ナノ粒子 / ダイヤモンド / 電子デバイス / ドーピング / 粒界 / CVD / 薄膜 |
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| 研究概要 |
ダイヤモンドは超低損失デバイスを実現し、省エネルギー・低環境負荷に貢献できる夢の半導体材料であるが、n型のドーピングが困難である。本研究では、窒素ドープナノダイヤモンド薄膜のもつ特異な粒界伝導特性の制御によって、高いn型伝導性を実証した。またその成果をもとに、ヘテロ構造デバイスの試作と評価を行い、ダイヤモンド超低損失デバイスの実現に必要な技術基盤を確立した。
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