| 研究課題/領域番号 |
19560715
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | (財)電気磁気材料研究所 |
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研究代表者 |
小林 伸聖 (財)電気磁気材料研究所, 研究開発事業部・電磁気材料グループ, 主席研究員 (70205475)
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| 研究分担者 |
白川 究 財団法人 電気磁気材料研究所, デバイス開発グループ, 主席研究員 (30133614)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2007年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 磁性薄膜 / 磁気抵抗効果 / グラニュラー / 高電気抵抗 / 省電力 / 磁気センサ / スパッタ薄膜 / フッ化物 |
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| 研究概要 |
次世代高性能省電力磁気センサであるGIGSに用いられる金属-絶縁体ナノグラニュラーTMR膜の高性能化を目的とし、膜組成、作製条件、および膜構造のTMRに及ぼす影響を詳細に検討した。その結果、以下の成果を得た。1)新組成系であるFeCo-(Si)-AlF系膜のTMRの加熱に対する挙動は、良好な耐熱性を示す。2)加熱基板上に作製した膜は、良好な耐熱性を示し、弱磁界でTMRの大きな磁界感度を有する。3)微量Siを含む膜は、加熱による構造変化が抑制され、そのためにTMRの良好な耐熱性を示すことが明らかになった。
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