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第三元素添加によるSn-Bi系低温実装対応鉛フリーはんだの共晶組織微細化効果

研究課題

研究課題/領域番号 19560728
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 材料加工・処理
研究機関大阪大学

研究代表者

上西 啓介  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80223478)

研究分担者 佐藤 武彦  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60379112)
荘司 郁夫  群馬大学, 工学部, 准教授 (00323329)
連携研究者 荘司 郁夫  群馬大学, 工学部, 准教授 (00323329)
研究期間 (年度) 2007 – 2008
研究課題ステータス 完了 (2008年度)
配分額 *注記
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
キーワード鉛フリーはんだ / 低温接合 / マイクロ接合 / 界面反応 / 信頼性評価 / 低温実装 / 共晶組織 / 微細化 / 延性改善 / 状態図計算 / 金属間化合物 / 添加元素
研究概要

Sn-Bi共晶系はんだは、その融点が140℃と低いため、低温実装用材料として期待されている。しかし、その延性が乏しいことが実用化の阻害要因となっており、その改善が求められている。研究者らはこれまで、Sn-Bi共晶はんだに1mass%以下のAgを添加することにより、共晶組織を微細化し、延性を改善することができることを報告した。またAg以外にはCu、Geなどの元素を添加することによっても同様な微細化効果があることが確認された
更に添加元素としてSbを添加量を1mass%以下に制御することにより、比較的遅い冷却速度においてもSn/Biの共晶組織を著しく微細化することが明らかとなった。この材料は引張り試験による伸びが40%以上と、従来のSn-Pb共晶はんだよりも延性にすぐれ、かつ融点が140℃前後の新しい低融点はんだ材料として有望であることが確認された。Sb添加が有効である要因としては、元素添加により新たに形成する金属間化合物相が、他の添加元素では晶出によって形成されるため、ローカルには粗大化したものが形成されやすいのに対して、Sbを添加したときに形成するSnSb相は過飽和なSn固溶体から析出するため、微細にSnとBiの粒界に分散するためであることが、計算状態図による熱力学的考察により明らかとなった
この開発したSn-Bi-SbはんだBGAボールを用いて、Cu基板との接合を行ったところ、160℃という従来のはんだ材料の場合よりも低温のリフローで接合が可能でバンププル引張り試験によっても高い引張り強度を示すなど、その接合性も良好であることが確認された

報告書

(3件)
  • 2008 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 研究成果

    (13件)

すべて 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (3件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] 第三元素添加によるSn-Bi共晶はんだの組織微細化と延性改善効果2009

    • 著者名/発表者名
      金児仁史、中西徹洋、鳥居久範、赤松俊也、作山誠樹、上西啓介、佐藤武彦
    • 雑誌名

      第15回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム(MATE2009)論文集 Vol.15

      ページ: 345-348

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 第三元素添加によるSn-Bi共晶はんだの組織微細化と延性改善効果2009

    • 著者名/発表者名
      金児仁史, 中西徹洋, 鳥居久範, 作山誠樹, 上西啓介, 佐藤武彦
    • 雑誌名

      エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集 Vol. 15

      ページ: 345-348

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 低応力実装に向けたSn-Bi低温接合技術電子情報通信学会論文誌C2008

    • 著者名/発表者名
      作山誠樹、赤松俊也、上西啓介、佐藤武彦
    • 雑誌名

      Vol.Jgl-C, No.11

      ページ: 534-541

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Sn-Bi共晶はんだへの第三元素添加効果2008

    • 著者名/発表者名
      金児仁史、鳥居久範、赤松俊也、作山誠樹、上西啓介、佐藤武彦
    • 雑誌名

      第18回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2008)論文集 Vol.18

      ページ: 203-206

    • NAID

      130008032210

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 低応力実装に向けたSn-Bi低温接合技術2008

    • 著者名/発表者名
      作山誠樹, 赤松俊也, 上西啓介, 佐藤武彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌C Vol. J91C No. 11

      ページ: 534-541

    • NAID

      110007380061

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Sn-Bi共晶はんだへの第三元素添加効果2008

    • 著者名/発表者名
      金児仁史, 鳥居久範, 作山誠樹, 上西啓介, 佐藤武彦
    • 雑誌名

      マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 Vol. 18

      ページ: 203-206

    • NAID

      130008032210

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Ag Addition to Sn-Bi Eutectic Solders on the Microstructure and Properties of Joints with Cu2007

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Uenishi, H.Torii, S.Nakajima, T.Akamatsu, S.Sakuyama and Takehiko Sato
    • 雑誌名

      Proceedings of International Conference on Electronics Packaging, 2007

      ページ: 193-196

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Ag Addition to Sn-Bi Eutectic Solders on the Microstructure and Properties of Joints with Cu2007

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Uenishi
    • 雑誌名

      Proceedings of International Conference on Electronics Packaging 1

      ページ: 193-196

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 第三元素添加によるSn-Bi共晶はんだの組織微細化と延性改善効果2009

    • 著者名/発表者名
      金児仁史、中西徹洋、鳥居久範赤松俊也、作山誠樹、上西啓介、佐藤武彦
    • 学会等名
      第15回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム(mTE2009)
    • 発表場所
      横浜
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Sn-Bi共晶はんだへの第三元素添加効果第18回マイクロエレクトロニクスシンポジゥム2008

    • 著者名/発表者名
      金児仁史、鳥居久範、赤松俊也、作山誠樹、上西啓介、佐藤武彦
    • 発表場所
      京都
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] Effect of AgAddition to Sn-BiEutectic Solders on the Microstructure and Properties of Joints with Cu2007

    • 著者名/発表者名
      Keisuke Uenishi, H.Torii, S.Nakajima, T.Akamatsu, S.Sakuyama and Takehiko Sato
    • 学会等名
      International Conference on Electronics Packaging 2007
    • 発表場所
      東京
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.mit.eng.osaka-u.ac.jp/td2/

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [産業財産権] はんだ、はんだ付け方法および半導体装置2009

    • 発明者名
      上西啓介、作山誠樹、赤松俊也、鳥居久範、金児仁史
    • 権利者名
      富士通研究所、大阪大学
    • 出願年月日
      2009-01-26
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書

URL: 

公開日: 2007-04-01   更新日: 2016-04-21  

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