等方高圧アニール法によるビスマス系ペロブスカイト化合物薄膜の創製

• 研究課題/領域番号: 19560736
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 材料加工・処理
• 研究機関: 兵庫県立大学
• 研究代表者: 小舟 正文 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90240960)
• 研究分担者: 藤澤 浩訓 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30285340)
• 連携研究者: 藤澤 浩訓 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30285340)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円); 2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2007年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: 高圧アニール / 結晶制御

研究概要

常温スパッタ法により(001)配向(Bi0.5La0.5)(Ni0.5Ti0.5)O3 [BLNT]結晶核上に非晶質BLNT膜を作製し、等方高圧アニール(HIP)法により至適に調整された酸素分圧下で結晶化を行い、結晶核と同方向の配向性とペロブスカイト構造をもつBLNT薄膜の作製に成功した。作製した膜の諸特性(構造及び電気特性)評価を行い、すぐれた強誘電体であることを実証した

研究成果

• [雑誌論文] Structural characteris- tics and ferroelectric properties of bismuth-based compound thin films crystallized by hot isostatic press- ing (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Kobune, H. Tada, H. Oshima, D. Horii, A. Tamura, Y. Daiko, A. Mineshige and T. Yazawa
  • 雑誌名: Key Engineering Materials (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and characterization of perovskite (Bi, Sm)(Ni, Ti)O_3 thin films by rf magnetron sputtering (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, M. Kobune, K. Fukushima, H. Oshima, D. Horii, A. Tamura, Y. Daiko, A. Mineshige, T. Yazawa, H. Fujisawa, M. Shimizu, H. Yamaguchi and K. Honda
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation mechanism in perovskite structure of (Bi, Ln)(Ni, Ti)O_3 thin films fabri- cated by rf magnetron sputtering (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Oshima, M. Kobune, H. Tada, K. Fukushima, D. Horii, A. Tamura, Y. Daiko, A. Mineshige, T. Yazawa, H. Yamaguchi and K. Honda
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural characteristics and ferroelectric properties of bismuth-based compound thin films crystallized by hot lsostatic pressing (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Kobune, et al.
  • 雑誌名: Key Engineering Materials (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and characterization of perovskite (Bi, Sm)(Ni, Ti)0_3 thin films by rf magnetron sputtering (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, et al.
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation mechanism in perovskite structure of (Bi, Ln)(Ni, Ti)O_3 thin films fabricated by rf magnetron sputtering (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Oshima, et al.
  • 雑誌名: J. Korean Phys. Soc. (accepted)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of ferroelectric bismuth lanthanum nickel titanate thin films byrf magnetron sputtering (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Kobune, et. al.
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of perovskite(Bi,Ln)(Ni_<0.5>Ti_<0.5>)O_3 thin films by rf magnetronsputtering (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Fukushima, et. al.
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 6938-6943
  • 査読あり
• [学会発表] スパッタ法により作製した(Bi, Ln)- (Ni, Ti)O_3薄膜のペロブスカイト構造形成メカニズム (2008)
  • 著者名/発表者名: 小舟正文、多田英人、大島尚士、堀井大輔、大幸裕介、嶺重温、矢澤哲夫
  • 学会等名: 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム講演予稿集(188)
  • 発表場所: 北九州国際会議場
• [学会発表] Fabrication and characteriza- tion of perovskite (Bi, Sm)(Ni, Ti)O_3 thin films by rf magnetron sputtering (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, M. Kobune, K. Fukushima, H. Oshima, D. Horii, A. Mineshige and T. Yazawa
  • 学会等名: Abstract book of the 7^<th> Korea-Japan conference on ferroelectricity
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Formation mechanism in pero- vskite structure of (Bi, Ln)(Ni, Ti)O_3 thin films fabricated by rf magnetron sputtering (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Oshima, M. Kobune, K. Fukushima, H. Tada, D. Horii, A. Mineshige and T. Yazawa
  • 学会等名: Abstract book of the 7^<th> Korea-Japan conference on ferroelec- tricity
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Structural characteristics and ferroelectric properties of bis- muth-based compound thin films crys- tallized by hot isostatic pressing (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, M. Kobune, K. Fukushima, H. Oshima, D. Horii, A. Mineshige, T. Yazawa
  • 学会等名: Abstract book of the 6^<th> asian meeting on electroceramics(161)
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
• [学会発表] スパッタ法により作製した(Bi, Ln)(Ni, Ti)O_3薄膜のペロプスカイド構造形成メカニズム (2008)
  • 著者名/発表者名: 小舟正文, ほか
  • 学会等名: 日本セラミックス協会 第21回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 北九州国際会議場
• [学会発表] Fabrication and characterization of perovskite (Bi, Sm)(Ni, Ti)0_3 thin films by rf magnetron sputtering (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, et al.
  • 学会等名: The 7^<th> Korea-Japan Conference on Ferro-electricity
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Formation mechanism in perovskite structure of (Bi, Ln)-(Ni, Ti)0_3 thin films fabricated by rf magnetron sputtering (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Oshima, et al.
  • 学会等名: The 7^<th> Korea-Japan Conference on Ferro-electricity
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Structural and ferroelectric properties of bismuth-based compound thin films crystallized by hot isostatic pressing (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Tada, et al.
  • 学会等名: The 6^<th> Asian Meeting on Electroceramics
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
• [学会発表] スパッタリング法による(Bi,Nd)(Ni_0.5Ti_0.5)O_3ペロブスカイト化合物薄膜の成長 (2007)
  • 著者名/発表者名: 多田 英人, ほか
  • 学会等名: 第20回秋季シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋工業大学
  • 年月日: 2007-09-12
• [学会発表] スパッタリング法による(Bi,Ln)(Ni_0.5Ti_0.5)O_3ペロブスカイト化合物薄膜の成長 (2007)
  • 著者名/発表者名: 福島 浩次, ほか
  • 学会等名: 第24回強誘電体応用会議
  • 発表場所: コープイン京都
  • 年月日: 2007-05-25
• [備考]
  • URL: http://www.eng.u-hyogo.ac.jp/msc/msc5/info.html