| 研究課題/領域番号 |
19656013
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| 研究種目 |
萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 仙台電波工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
羽賀 浩一 仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授 (30270200)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2008年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2007年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
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| キーワード | 酸化亜鉛 / 薄膜 / ベータジケトン系原料 / エピタキシャル成長 / 酸化亜鉛基板 / βジケトン系原料 / 有機金属 |
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| 研究成果の概要 |
酸化亜鉛(ZnO)薄膜のホモエピタキシャル成長は有機金属気相成長(MO-CVD)法を適用し、そのZn原料としてベータジケトン材料であるZn(C_9H_<15>O_3)_2を使用した。また、堆積基板に使用したZnO表面の平坦性及び清浄化を得るために、高温熱処理及びArイオンエッチングを行った。
エピ成長したZnO薄膜は極めて平坦性と結晶性が優れていたが、Zn(C_9H_<15>O_3)_2原料が経時変化しやすく、薄膜物性値の再現性を得ることが非常に難しい結果となった。
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