高性能SiCパワーエレクトロニクス実現に向けた理想MOSFET作製プロセスの創成

• 研究課題/領域番号: 19676001
• 研究種目: 若手研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 渡部 平司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90379115)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 89,310千円 (直接経費: 68,700千円、間接経費: 20,610千円); 2011年度: 14,040千円 (直接経費: 10,800千円、間接経費: 3,240千円); 2010年度: 18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円); 2009年度: 20,280千円 (直接経費: 15,600千円、間接経費: 4,680千円); 2008年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円); 2007年度: 20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)
• キーワード: パワーエレクトロニクス / MOSデバイス / 薄膜界面 / 界面

研究概要

シリコンカーバイド(SiC)は電気エネルギーの高効率利用に重要なパワーデバイス用の半導体材料として期待されている。本研究では、次世代のSiCスイッチングデバイスを構成する金属/酸化物/半導体(MOS)構造の界面物性を詳細に解析し、これらの知見に基づいてSiC-MOSデバイスの特性改善技術を提案し、その優位性を実証することに成功した。さらに、従来の熱酸化膜に代わる絶縁膜材料としてSiCパワーデバイスに最適化した高誘電率ゲート絶縁膜を実現し、トランジスタレベルでの性能実証に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-Face and(000-1) C-Face Substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 697 ページ: 717-720
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Interface Defect Passivation on Conduction Band Offset at SiO_2/ 4H-SiC Interface (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, T. Kirino, A. Chanthaphan, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 721 ページ: 717-720
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of UV Irradiation on Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices (2012)
  • 著者名/発表者名: D. Ikeguchi, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 765 ページ: 717-720
  • 査読あり
• [雑誌論文] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
  • 雑誌名: ECS Trans 巻: 41[ 3] ページ: 77-77
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy study on thermally grown SiO_2/ 4H-SiC(0001) interface and its correlation with electrical properties (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Kagei, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, and T. Shimura
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 99 ページ: 21907-21907
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Stacked AlON/ SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi and T. Shimura
  • 雑誌名: ECS Trans 巻: 35[ 2] ページ: 265-265
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 巻: 11 ページ: 2802-2802
  • 査読あり
• [雑誌論文] Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO_2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, K. Konzono, Y. Uenishi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 342 ページ: 679-680
  • 査読あり
• [雑誌論文] Energy Band Structure of SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Kirino, Y. Kagei, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 386 ページ: 679-680
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Charge Trapping Sites in Al_2O_3/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 496 ページ: 679-680
  • 査読あり
• [雑誌論文] Synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy study on thermally grown SiO_2/4H-SiC(0001) interface and its correlation with electrical properties (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 99 号: 2
  • DOI: 10.1063/1.3610487
  • 査読あり
• [雑誌論文] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 41(3) 号: 3 ページ: 77-90
  • DOI: 10.1149/1.3633023
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 巻: 11(4) 号: 4 ページ: 2802-2808
  • DOI: 10.1166/jnn.2011.3911
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of Stacked AlON/SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 35(2) 号: 2 ページ: 265-274
  • DOI: 10.1149/1.3568869
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al.
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 巻: 11 ページ: 2802-2808
  • 査読あり
• [雑誌論文] Energy Band Structure of SiO_2/4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: (in press)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of Charge Trapping Sites in Al_2O_3/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: (in press)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Investigation of Surface Morphology of Thermally Grown SiO_2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: (in press)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved Characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/ Nitrided SiO_2 Stacked Gate Dielectrics (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 991 ページ: 645-648
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(001) Using Conductive Atomic Force Microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Kozono, T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 821 ページ: 645-648
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 507 ページ: 645-648
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/nitrided SiO_2 stacked gate dielectrics (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H. Watanabe
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 991-994
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct observation of dielectric breakdown spot in thermal oxides on 4H-SiC(0001) using conductive atomic force microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Kozono, T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 821-824
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 507-510
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved Characteristics of 4H-SiC MISFET with AION/Nitrided Si02 Stacked Gate Dielectrics (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 991-994
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved Electrical Properties of SiC-MOS Interfaces by Thermal Oxidation of Plasma Nitrided 4H-SiC(0001) Surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kagei, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 507-510
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(001) Using Conductive Atomic Force Microscopy (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Kozono, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 645-648 ページ: 645-648
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/ SiC interfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, and T. Nakamura
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 525 ページ: 615-617
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlON/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
  • 雑誌名: Mater. Sci. Forum 巻: 541 ページ: 615-617
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/SiC interfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura
  • 雑誌名: Materials Science Forum 615-617 ページ: 525-528
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics for 4H-SiC MIS devices (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H Watanabe
  • 雑誌名: Materials Science Forum 615-617 ページ: 541-544
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure and Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO2/SiC Interfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 615-617 ページ: 525-528
  • 査読あり
• [雑誌論文] Al0N/SiO2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, et al.
  • 雑誌名: Materials Science Forum 615-617 ページ: 541-544
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface cleaning and etching of 4H-SiC(0001) using high-density atmospheric pressure hydrogen plasma
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology (accepted)
  • 査読あり
• [学会発表] Insight into Bias-temperature Instability of 4H-SiC MOS Devices with Thermally Grown SiO_2 Dielectrics (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Chanthaphan, T. Kirino, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 学会等名: 2012 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, CA
  • 年月日: 2012-04-11
• [学会発表] 紫外線照射による熱酸化SiO_2/SiC構造中の電気的欠陥生成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 池口大輔, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
  • 発表場所: 名古屋市
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] 高温条件下における4H-SiC MOSデバイスの不安定性 (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Chanthaphan, et al
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
  • 発表場所: 名古屋市
  • 年月日: 2011-12-08
• [学会発表] Investigation of Mobile Ion Generation in Thermal Oxide of 4H-SiC(0001) MOS Devices with High-Temperature Hydrogen Annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Chanthaphan, et al
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Flatband Voltage Instability Due to Mobile Ions in 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Chanthaphan, et al
  • 学会等名: Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-01
• [学会発表] Investigation of UV-Induced Electrical Defects in Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Ikeguchi, et al
  • 学会等名: Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-01
• [学会発表] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs(Invited) (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
  • 学会等名: 220th ECS Meeting
  • 発表場所: Boston, MA
  • 年月日: 2011-10-10
• [学会発表] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 学会等名: 220th ECS Meeting
  • 発表場所: Boston, MA, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-10
• [学会発表] Impact of Interface Defect Passivation on Conduction Band Offset at SiO_2/ 4H-SiC Interface (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, T. Kirino, A. Chanthaphan, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Cleveland, OH
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] Impact of Interface Defect Passivation on Conduction Band Offset at SiO_2/4H-SiC Interface (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al
  • 学会等名: 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Cleveland, OH, USA
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and(000-1) C-face Substrates(Invited) (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Cleveland, OH
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and (000-1) C-face Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 学会等名: 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Cleveland, OH, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] Impact of UV Irradiation on Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Ikeguchi, et al
  • 学会等名: 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Cleveland, OH, USA
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] 熱酸化SiO_2/SiC構造における紫外線誘起欠陥の評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 池口大輔, 他
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Generation of mobile ions in thermal oxide on 4H-SiC(0001) by high-temperature annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: Atthawut Chanthaphan, et al
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] SiC-MOS界面欠陥の評価とその改善策 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第6回個別討論会
  • 発表場所: 京都(招待講演)
  • 年月日: 2011-07-29
• [学会発表] Correlation between surface morphology and breakdown characteristics of thermally grown SiO_2 dielectrics in 4H-SiC MOS devices (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Uenishi, et al
  • 学会等名: 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-05-19
• [学会発表] Impact of Stacked AlON/ SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices(Invited) (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoiand T. Shimura
  • 学会等名: 219th ECS Meeting
  • 発表場所: Montreal, QC, Canada
  • 年月日: 2011-05-03
• [学会発表] Impact of Stacked AlON/SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al
  • 学会等名: 219th ECS Meeting
  • 発表場所: Montreal, QC, Canada(招待講演)
  • 年月日: 2011-05-03
• [学会発表] Energy Band Structure of Thermally Grown SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Post-oxidation Treatments (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kirino, Y. Kagei, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 学会等名: 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 発表場所: San Diego, CA
  • 年月日: 2010-12-02
• [学会発表] Energy Band Structure of Thermally Grown SiO_2/4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Post-oxidation Treatments (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kirino, et al.
  • 学会等名: 41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 発表場所: San Diego, CA
  • 年月日: 2010-12-02
• [学会発表] Impact of Nitrogen Incorporation into Al_2O_3 Gate Dielectrics on Flatband Voltage Stability in 4H-SiC MIS Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 学会等名: Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: 阪大中ノ島センター 大阪
  • 年月日: 2010-11-24
• [学会発表] Modulation on Thermally Grown SiO_2/4H-SiC Energy Band Structure Depending on Surface Orientation (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kirino, et al.
  • 学会等名: Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: 阪大中ノ島センター 大阪
  • 年月日: 2010-11-24
• [学会発表] 断面TEM及びAFMによる4H-SiC熱酸化膜の表面・界面構造評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 上西悠介, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] SiO_2/4H-SiC界面構造伝導帯オフセットの相関 (2010)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] SiC熱酸化膜の信頼性低下を引き起こす外的要因の検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 上西悠介, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Energy Band Structure of SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, T. Kirino, Y. Kagei, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, and T. Shimura
  • 学会等名: 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Oslo, Norway
  • 年月日: 2010-09-01
• [学会発表] Energy band structure of SiO_2/4H-SiC interfaces and its modulation induced by intrinsic and extrinsic interface charge transfer (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, et al.
  • 学会等名: The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2010
  • 発表場所: Oslo, Norway
  • 年月日: 2010-09-01
• [学会発表] Reduction of Charge Trapping Sites in Al_2O_3/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
  • 学会等名: 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Oslo, Norway
  • 年月日: 2010-08-31
• [学会発表] Reduction of charge trapping sites in Al_2O_3/SiO_2 stacked gate dielectrics by incorporating nitrogen for highly reliable 4H-SiC MIS devices diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 学会等名: The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2010
  • 発表場所: Oslo, Norway
  • 年月日: 2010-08-31
• [学会発表] Investigation of surface and interface morphology of thermally grown SiO_2 dielectrics on 4H-SiC(0001) substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 学会等名: The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2010
  • 発表場所: Oslo, Norway
  • 年月日: 2010-08-30
• [学会発表] Conductive AFM study on local dielectric degradation of thermal oxides in 4H-SiC MOS devices (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Uenishi, et al.
  • 学会等名: International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials 2010
  • 発表場所: 大阪大学
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] SiC-MOSデバイス基板表面形状と絶縁破壊箇所の相関のC-AFM評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 上西悠介, 他
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史, 他
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Al2O3/SiO2積層ゲート絶縁膜への窒素添加による4H-SiC MISデバイスのフラットバンド電圧シフトの抑制 (2010)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介, 他
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] プラズマ窒化技術とAlON/SiO_2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化 (招待講演), SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司
  • 学会等名: 第18回講演会
  • 発表場所: 神戸
  • 年月日: 2009-12-18
• [学会発表] プラズマ窒化技術とALON/SiO2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化(招待講演) (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場
  • 年月日: 2009-12-18
• [学会発表] 放射光XPSによる熱酸化SiO2/4H-SiC界面のエネルギーバンド構造分析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場
  • 年月日: 2009-12-17
• [学会発表] 導電性原子間力顕微鏡による4H-SiC(0001)熱酸化膜の局所絶縁劣化現象の観察 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小園幸平, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場
  • 年月日: 2009-12-17
• [学会発表] 4H-SiC(0001)基板表面のプラズマ窒化と高温水素ガスアニール処理によるSiC-MOS界面特性向上 (2009)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • 発表場所: 神戸国際会議場
  • 年月日: 2009-12-17
• [学会発表] Advanced gate stack technology for SiC-MOS power devices (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe
  • 学会等名: 2^<nd> International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2009-11-26
• [学会発表] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-10-13
• [学会発表] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Kozono, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, Y. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Material
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-10-13
• [学会発表] Improved characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/nitrided SiO_2 stacked gate dielectrics (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] Improved Electrical Properties of SiC-MOS Interfaces by Thermal Oxidation of Plasma Nitrided 4H-SiC(0001) Surfaces (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Kagei, et al.
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-09-13
• [学会発表] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Kozono, et al.
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-09-13
• [学会発表] Improved Characteristics of 4H-SiC MISFET with AION/Nitrided SiO2 Stacked Gate Dielectrics (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Hosoi, et al.
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Nurnberg, Germany
  • 年月日: 2009-09-12
• [学会発表] 導電性AFMを用いた4H-SiC熱酸化膜の局所絶縁劣化現象の観測 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小園幸平, 他
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 4H-SiC(0001)面の熱酸化により形成したSiO2/SiC界面の放射光XPS評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史, 他
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] プラズマ窒化表面の熱酸化で形成したSiC-MOSデバイスへの高温水素アニール効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介, 他
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 窒素プラズマ照射と水素ガスアニール複合処理による4H-SiC MOSFETの移動度向上 (2009)
  • 著者名/発表者名: 細井卓治, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] プラズマ窒化SiC表面の熱酸化により形成したSiO2/SiC界面の放射光XPS評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] 導電性AFMを用いた4H-SiC熱酸化膜の信頼性評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小園幸平, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] A10N/Si02積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISFETの特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 桐野嵩史, 他
  • 学会等名: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学(茨城県)
  • 年月日: 2009-03-30
• [学会発表] 窒素プラズマ照射および水素ガスアニールによるSiO2/SiC界面欠陥終端化とその熱劣化過程の評価(講演奨励賞) (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡辺優, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: 大田区産業プラザ(東京都)
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] Al0N/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISデバイスの作製と評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 細井卓治, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: 大田区産業プラザ(東京都)
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] プラズマ窒化4H-SiC表面の熱酸化によるSiO2/SiC界面の特性向上 (2008)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介, 他
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
  • 発表場所: 大田区産業プラザ(東京都)
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] AlON/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
  • 学会等名: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Barcelona, Spain
  • 年月日: 2008-09-11
• [学会発表] AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics for 4H-SiC MIS devices (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi
  • 学会等名: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Barcelona, Spain
  • 年月日: 2008-09-11
• [学会発表] Al0N/SiO2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Hosoi, et al.
  • 学会等名: 7th European Conference on Si 1 icon Carbideand Related Materials
  • 発表場所: バルセロナ(スペイン)
  • 年月日: 2008-09-11
• [学会発表] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure and Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO_2/ SiC Interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, N. Nakano, and T. Nakamura
  • 学会等名: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Barcelona, Spain
  • 年月日: 2008-09-10
• [学会発表] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/SiC interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe
  • 学会等名: 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • 発表場所: Barcelona, Spain
  • 年月日: 2008-09-10
• [学会発表] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure And Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO2/SiC Interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Watanabe, et al.
  • 学会等名: 7th European Conference on Si 1 icon Carbideand Related Materials
  • 発表場所: バルセロナ(スペイン)
  • 年月日: 2008-09-10
• [学会発表] Al0N/SiO2積層ゲート絶縁膜を用いた4H-SiC MISデバイスの高温特性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 細井卓治, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(愛知県)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] 水素アニール処理によるSiO2/SiC界面欠陥の終端化および熱劣化過程の評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡辺優, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(愛知県)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] プラズマ窒化SiC表面の熱酸化によるMOS界面特性の向上 (2008)
  • 著者名/発表者名: 景井悠介, 他
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学(愛知県)
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] Improvement of Thermally Grown SiO2/SiC Interfaces by Plasma Nitridat ion and Post-metalization Annealing (Student Award) (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Kagei, et al.
  • 学会等名: International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  • 発表場所: 阪大中之島センター(大阪市)
  • 年月日: 2008-05-23
• [学会発表] SiO_2/SiC界面特性の評価とその改善法の検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡辺 優, 他
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日本大学
  • 年月日: 2008-03-28
• [学会発表] Properties of AlON/SiO_2 layered gate dielectrics for SiC MOS devices (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Harada, et. al.
  • 学会等名: International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2007-10-15
• [学会発表] AlON/SiO_2/SiC積層構造によるSiC-MOS界面の電気特性改善 (2007)
  • 著者名/発表者名: 原田 真, 他
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
  • 年月日: 2007-09-06
• [学会発表] Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Watanabe, et. al.
  • 学会等名: 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2007-04-24
• [学会発表] Investigation of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO_2 layered structures (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Harada, et. al.
  • 学会等名: 2007 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, CA
  • 年月日: 2007-04-12
• [図書] 半導体SiC技術と応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渡部平司
  • 出版者: 日刊工業新聞社
• [備考] 研究室ホームページ
  • URL: http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考] 研究室ホームページ
  • URL: http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/
• [産業財産権] 半導体装置およびその製造方法 (2012)
  • 発明者名: 渡部平司、志村考功、細井卓治、箕谷周平、中野佑紀、中村亮太、中村孝
  • 権利者名: ローム(株)
  • 産業財産権番号: 2012-039059
  • 出願年月日: 2012-02-24
• [産業財産権] 半導体装置およびその製造方法 (2012)
  • 発明者名: 渡部平司, 他
  • 権利者名: ローム(株)
  • 産業財産権番号: 2012-039059
  • 出願年月日: 2012-02-24
• [産業財産権] 半導体装置 (2009)
  • 発明者名: 渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
  • 権利者名: ローム(株)
  • 産業財産権番号: 2009-206374
  • 出願年月日: 2009-09-07
• [産業財産権] 半導体装置 (2009)
  • 発明者名: 渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
  • 権利者名: ローム(株)
  • 産業財産権番号: 2009-206373
  • 出願年月日: 2009-09-07
• [産業財産権] 半導体装置の製造方法および半導体装置 (2009)
  • 発明者名: 渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
  • 権利者名: ローム(株)
  • 産業財産権番号: 2009-206372
  • 出願年月日: 2009-09-07