研究課題
若手研究(A)
本研究では超々大規模集積回路(ULSI)の更なる高性能化に向け、ミクタミクト構造(アモルファス層と微結晶粒の混合状態)を有する遷移金属(TM)-Si-Nを用いた配線・ゲート電極の開発を行った。具体的にはチタン(Ti)-Si-Nおよびハフニウム(Hf)-Si-Nの結晶構造および電気的特性について、窒素組成依存性および熱処理温度依存性を詳細に調べ、膜中における微結晶粒の形成過程および構造、それらと電気的特性との相関を明らかにした。
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すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (8件) 備考 (1件)
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.48
ページ: 45505-45505
210000066495
Japanese Journal of Applied Physics 48
210000066523
ページ: 455051-455054
http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/zaimalab/index.html