Deal-Grove理論に代わる新しいシリコン熱酸化速度理論の構築とその応用

• 研究課題/領域番号: 19686005
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 渡邉 孝信 (渡邊 孝信) 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (00367153)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2010
• 研究課題ステータス: 完了 (2010年度)
• 配分額: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円); 2010年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円); 2008年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円); 2007年度: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
• キーワード: 表面・界面 / 電気・電子材料 / ナノ構造形成・制御 / 分子動力学法 / 並列計算 / 並列計算機

研究概要

乾燥酸素雰囲気中のシリコン熱酸化(ドライ酸化)と水蒸気雰囲気中の酸化(ウェット酸化)を統一的に記述する新しい方程式を定式化し、長年謎であった、ドライ酸化のみで見られる非線形な酸素分圧依存性を説明することに成功した。また、シリコンやゲルマニウムの酸化膜構造を分子動力学シミュレーションで再現し、界面近傍における構造緩和機構、酸化種の拡散挙動、ストレス分布、熱輸送やフォノンの緩和機構などを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Molecular Dynamics Simulation on Longitudinal Optical Phonon Mode Decay and Heat Transport in a Silicon Nano-Structure Covered with Oxide Films (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi, Y.Kamakura, K.Taniguchi, I.Ohdomari, T.Watanabe
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.50 ページ: 10102-10102
  • NAID: 210000069796
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dynamic bond-order force field (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 雑誌名: Journal of Computational Electronics 巻: (published on line 未定)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular Dynamics Simulation on Longitudinal Optical Phonon Mode Decay and Heat Transport in a Silicon Nano-Structure Covered with Oxide Films (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi, Y.Kamakura, K.Taniguchi, I.Ohdomari, T.Watanabe
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50
  • NAID: 210000069796
  • 査読あり
• [雑誌論文] Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO2/Ge Systems : A Classical Molecular Simulation Study (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, T.Onda, I.Ohdomari
  • 雑誌名: ECS Transactions Vol.33 ページ: 901-912
  • 査読あり
• [雑誌論文] Simulation of the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi, I.Ohdomari, Y.Kamakura, K.Taniguchi, T.Watanabe
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Adsorption Mechanism of Ribosomal Protein L2 onto a Silica Surface : A Molecular Dynamics Simulation Study (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Tosaka, H.Yamamoto, T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Langmuir Vol.26 ページ: 9950-9955
  • 査読あり
• [雑誌論文] Adsorption mechanism of ribosomal protein L2 onto silica surface ; a molecular dynamics simulation study (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Tosaka, H.Tamamoto, I.Ohdomari, T.Watanabe
  • 雑誌名: Langmuir 巻: 26 ページ: 9950-9955
  • 査読あり
• [雑誌論文] Simulation of the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi, T.Watanabe, I.Ohdomari, Y.Kamakura, K.Taniguchi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (未定)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Potential energy landscape of an interstitial 0_2 molecule in a SiO_2 film near the SiO_2/Si(001) interface (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Ohta, T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Physical Review B Vol.78 ページ: 155326-155326
  • 査読あり
• [雑誌論文] Potential energy landscape of an interstitial O2 molecule in a SiO2 film near the SiO2/Si(001) interface (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Physical Review B 78 ページ: 1553261-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Potential energy landscape of an interstitial 02 molecule in a SiO2 film near the SiO2/Si(001) interfa ce (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Physical Review B 78
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced transconductance enhancement by pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors (2007)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, T.Tange, Y.Sugiura, I.Tsuchida, H.Ohta, T.Watanabe, D.Kosemura, A.Ogura, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 91 ページ: 2021171-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Distribution around Si0_2/Si Interface in Si Naowires ; A Molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Ohta, T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 3277-3282
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 154
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced transconductance enhancement by pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 91 ページ: 2021171-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 154
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Distribution around Si02/Si Interface in Si Naowires; A Molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 3277-3282
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, and I. Ohdomari
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 154
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Distribution around Si02/Si Interface in Si Naowires; A Molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, and I. Ohdomari
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 3277-3282
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain-induced transconductance enhancement by pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 91
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dynamic Bond-Order Force Field
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 雑誌名: Journal of Computational Electronics in press
  • 査読あり
• [雑誌論文] Simulation of the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films
  • 著者名/発表者名: T. Zushi, T. Watanabe, I. Ohdomari, Y. Kamakura, K. Taniguchi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. (in press)
  • 査読あり
• [学会発表] Force Field Approaches for Modeling Oxide-Semiconductor Interfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: 3^<rd> ACCMS Working Group Meeting on Advances in Nano-device simulation (Invited)
  • 発表場所: Seogwipo KAL Hotel, Jeju Island, KOREA
  • 年月日: 2011-04-02
• [学会発表] Si系トンネルFETのシミュレーション (2010)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 電気学会シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会「急峻サブスレショルドデバイスの現状と将来展望」(依頼講演)
  • 発表場所: 早稲田大学,新宿,東京
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO2/Ge Systems : A Classical Molecular Simulation Study (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, T.Onda, I.Ohdomari
  • 学会等名: ECS meeting
  • 発表場所: Las Vegas, USA
  • 年月日: 2010-10-14
• [学会発表] Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO2/Ge Systems : A Classical Molecular Simulation Study (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: ECS 218th meeting
  • 発表場所: Las Vegas, Nevada, USA
  • 年月日: 2010-10-14
• [学会発表] Siナノ構造中のLOフォノン緩和に関する分子動力学シミュレーション (2010)
  • 著者名/発表者名: 図師知文
  • 学会等名: 秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] Molecular Dynamics Simulation of LO Phonon Mode Decay in Si Nano-Structures Covered with Oxide Films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi
  • 学会等名: The International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2010
  • 発表場所: Bologna, Italy
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Molecular Dynamics Simulation on Phonon Dynamics and Heat Transport in Nanoscale Silicon (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, T.Zushi, Y.Kamakura, K.Taniguchi, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics
  • 発表場所: Tokyo, JAPAN
• [学会発表] 分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の基板面方位依存性に関する調査 (2010)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 山本英明, 渡邊孝信
  • 学会等名: ゲートスタック研究会(第15回)-材料・プロセス・評価の物理-
  • 発表場所: 東レ総合研修センター,三島
• [学会発表] GeO2/Ge界面のストレス緩和の起源 (2010)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 山本英明, 渡邊孝信
  • 学会等名: 春季第58回応用物理学関運連合講演会
  • 発表場所: 東海大学,平塚市,神奈川県
• [学会発表] Large-Scale Modeling of GeO2/Ge and SiO2/Si Interface Structures (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Onda, H.Yamamoto, R.Tosaka, T Watanabe
  • 学会等名: Materials Research Society
  • 発表場所: Boston, MA, USA
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Deal-Groveモデルに代わるシリコン熱酸化速度理論 (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会,タワーホール船堀(招待講演)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-28
• [学会発表] Deal-Groveモデルに代わるシリコン熱酸化速度理論 (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀, 東京
  • 年月日: 2009-10-28
• [学会発表] Deal-Groveモデルに代わるシリコン熱酸化速度理論 (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邊孝信
  • 学会等名: 第29回表面科学学術講演会
  • 発表場所: タワーホール船堀,東京
  • 年月日: 2009-10-28
• [学会発表] 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング～SiO2/Siとの違い～ (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会表面・界面・シリコン材料研究委員会第113回研究集会
  • 発表場所: 東京大学駒場リサーチキャンパス
  • 年月日: 2009-06-19
• [学会発表] Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process ; Beyond the Deal-Grove Model (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Computational & Experimental Engineering and Sciences (ICCES'09)(Keynote)
  • 発表場所: Phuket, Thailand
  • 年月日: 2009-04-10
• [学会発表] Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process; Beyond the Deal-Grove Model (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Computational & Experimental Engineering and Sciences (ICCES'09)
  • 発表場所: プーケット, タイ王国
  • 年月日: 2009-04-10
• [学会発表] Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process ; Beyond the Deal-Grove Model (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Computational & Experimental Engineering and Sciences(ICCES'09)
  • 発表場所: Phuket, Thailand
  • 年月日: 2009-04-10
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコンナノワイヤの酸化膜中のストレス分布の解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 渡邉孝信, 山本英明, 大泊巌
  • 学会等名: 第56回春季応用物理学関係連合講演
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-04-01
• [学会発表] 酸化膜に覆われたシリコンナノ構造中の熱輸送シミュレーション (2009)
  • 著者名/発表者名: 図師知文, 渡邉孝信, 大泊殻, 鎌倉良成, 谷口研二
  • 学会等名: 第56回春季応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] 古典分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の大規模モデリング (2009)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 渡邉孝信, 大泊巌
  • 学会等名: ゲートスタック研究会第14回研究会
  • 発表場所: 東レリサーチセンター
  • 年月日: 2009-01-23
• [学会発表] 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング-SiO_2/Siとの違い- (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 恩田知弥, 登坂亮, 山本英明
  • 学会等名: シリコン材料・デバイス研究会(SDM)(依頼講演)
  • 発表場所: 東京大学,目黒区,東京都
• [学会発表] Atomistic Modeling of GeO2/Ge and SiO2/Si Interface Structures (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Onda, H.Yamamoto, R.Tosaka, I.Ohdomari, T.Watanabe
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: Sendai, Japan
• [学会発表] Simulation on the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Zushi, T.Watanabe, I.Ohdomari, Y.Kamakura, K.Taniguchi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: Sendai, Japan
• [学会発表] 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング-SiO2/Siとの違い- (2009)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 恩田知弥, 登坂亮, 山本英明
  • 学会等名: シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
  • 発表場所: 東京大学,目黒区,東京都
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコンナノ構造中の熱輸送シミュレーション (2009)
  • 著者名/発表者名: 図師知文, 鎌倉良成, 谷口研二, 大泊巌, 渡邉孝信
  • 学会等名: 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学,富山市,富山県
• [学会発表] GeO2/Ge(001)、GeO2/Ge(110)、GeO2/Ge(111)構造のモデリング (2009)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 山本英明, 大泊巌, 渡邉孝信
  • 学会等名: 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学,富山市,富山県
• [学会発表] GeO2/Ge界面構造の大規模モデリング (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 恩田知弥, 登坂亮, 大泊巖
  • 学会等名: NMDIF-09
  • 発表場所: 高知工科大学
  • 年月日: 2008-12-23
• [学会発表] Crystal Orientation Dependency of OxidationInduced Strain in Silicon Nano Structures : A Molecular Si mulation Study (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Onda, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5)
  • 発表場所: 早稲国大学
  • 年月日: 2008-11-11
• [学会発表] Kinetic Model for High Pressure Oxidation of Silicon (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, T.Onda, T.Zushi, I.Ohdomari
  • 学会等名: International workshop on dielectric thin films for future ULSI devices : science and technology.
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2008-11-05
• [学会発表] Kinetic Model for High Pressure Oxidation of Silicon (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, T. Onda, T. Zushi, I. Ohd omari
  • 学会等名: International workshop on dielectric thin films for future ULSI devices : science and technology
  • 発表場所: 東京工業大学
  • 年月日: 2008-11-05
• [学会発表] 計算科学からみた低消費電力化技術 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジ-第151委員会第3回合同研究会(依頼講演)
  • 発表場所: 化学会館
  • 年月日: 2008-09-19
• [学会発表] 計算科学からみた低消費電力化技術 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡蓬孝信
  • 学会等名: 日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジ-第151委員会第3回合同研究会
  • 発表場所: 化学会館
  • 年月日: 2008-09-19
• [学会発表] Ensemble Monte Carlo/Molecular Dynamics Simulation of Electron Mobility in Silicon with Ordered Dopant Arrays (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Terunuma. T. Watanabe., et al.
  • 学会等名: 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2008)
  • 発表場所: 箱根 富士屋ホテル
  • 年月日: 2008-09-09
• [学会発表] 古典分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の大規模モデリング (2008)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 渡邉孝信, 大泊巌
  • 学会等名: 秋季第69回応用物理学会学術講演
  • 発表場所: 中部大学
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] ダイナミックボンド型分子動力学法の開発 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 第21期CAMMフォーラム本例会(依頼講演)
  • 発表場所: 虎ノ門パストラル
  • 年月日: 2008-06-06
• [学会発表] ダイナミックボンド型分子動力学法の開発 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信
  • 学会等名: 第21期CAMMフォーラム本例会
  • 発表場所: 虎ノ門パストラル
  • 年月日: 2008-06-06
• [学会発表] シリコン熱酸化速度の酸素分圧依存性の起源 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 太田洋道, 大泊巌
  • 学会等名: 第13回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 三島
  • 年月日: 2008-01-14
• [学会発表] Si02/Si界面近傍の格子間02分子のポテンシャルエネルギーマップの作成 (2008)
  • 著者名/発表者名: 太田洋道, 渡邉孝信, 大泊, 巌
  • 学会等名: 第13回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 三島
  • 年月日: 2008-01-14
• [学会発表] シリコン熱酸化速度の酸素分圧依存性の起源 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 太田洋道, 大泊厳
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日大船橋
• [学会発表] AFM探針-基板間の水分子の挙動に関する分子動力学シミュレーション (2008)
  • 著者名/発表者名: 登坂 亮, 山本英明, 小野真弥, 渡邉孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日大船橋
• [学会発表] 有機シランSAM/Si02構造モデルからのX線回折強度分布 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本英明, 渡邉孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日大船橋
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコンナノ構造酸化誘起歪の結晶方位依存性に関する研究 (2008)
  • 著者名/発表者名: 恩田知弥, 太田洋道, 渡邉孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 日大船橋
• [学会発表] General Kinetic Theory for Thermal Oxidation of Silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 学会等名: The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-9)
  • 発表場所: 東大生産研
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] General Kinetic Theory for Thermal Oxidation of Silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe
  • 学会等名: The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-9)
  • 発表場所: 東大
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] Deal-Grove 理論に代わるシリコン熱酸化の新しい運動理論 (2007)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 太田洋道, 大泊巌
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会
  • 発表場所: 東大生産研
  • 年月日: 2007-11-03
• [学会発表] Deal-Grove理論に代わるシリコン熱酸化の新しい運動理論 (2007)
  • 著者名/発表者名: 渡邉孝信, 太田洋道, 大泊 巌
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会
  • 発表場所: 東大生産研
  • 年月日: 2007-11-03
• [学会発表] 大規模分子シミュレーションによる有機シランSAM/SiO2界面構造に関する研究 (2007)
  • 著者名/発表者名: 山本 英明, 渡邉 孝信, 谷井 孝至, 大泊 巌
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会
  • 発表場所: 東大生産研
  • 年月日: 2007-11-01
• [学会発表] 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション (2007)
  • 著者名/発表者名: 照沼知英, 渡邉孝信, 品田賢宏, 鎌倉良成, 谷口研二, 大泊 巌
  • 学会等名: SDM, VLD, 応物シリコンテクノロジー分科会共催 平年19年10月合同研究会
  • 発表場所: 東京・機械振興会館
  • 年月日: 2007-10-30
• [学会発表] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: 211th Meeting of The Electrochemical Society(Invited)
  • 発表場所: Chicago, USA.
• [学会発表] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe
  • 学会等名: 211th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: アメリカ・シカゴ
• [学会発表] Interface Structure of an Organosilane Monolayer/Si02 Substrate; a Grand Canonical Monte Carlo Simulation Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Yamamoto, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-9)
  • 発表場所: 東大生産研
• [学会発表] 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション (2007)
  • 著者名/発表者名: 照沼知英, 渡邉孝信, 品田賢宏, 鎌倉良成, 谷口研二, 大泊 巌
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] MDGRAPE-3を用いた有機シランSAM/Si02界面構造の大規模分子シミュレーション (2007)
  • 著者名/発表者名: 山本英明, 渡邉孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [学会発表] 分子動力学法によるSi02/Si界面近傍のボイド分布の解析 (2007)
  • 著者名/発表者名: 太田洋道, 渡邉孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学
• [備考] 早稲田大学研究者データベース
  • URL: https://www.wnp7.waseda.jp/Rdb/app/ip/ipi0201.html
• [備考] 研究室ホームページ
  • URL: http://www.watanabe.nano.waseda.ac.jp/
• [備考] 早稲田大学研究者データベース
  • URL: https://www.wnp7.waseda.jp/Rdb/app/ip/ipi0201.html
• [備考] 研究室ホームページ
  • URL: http://www.watanabe.nano.waseda.ac.jp/