| 研究課題/領域番号 |
19686037
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (00343145)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
26,260千円 (直接経費: 20,200千円、間接経費: 6,060千円)
2009年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2008年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2007年度: 17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 初期酸化過程 / ゲルマニウム / 二酸化ゲルマニウム / 一酸化ゲルマニウム / 分光エリプソメトリー / 酸化機構 / 表面酸化 / 光吸収 / 酸素欠損 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 表面酸化渦程 / 絶縁膜 / 表面酸化過程 |
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| 研究概要 |
Ge上のGeO 2膜からGeOが脱離する現象は,界面と表面で同時進行する反応に起因し,膜中の拡散律速モデルで説明される。GeO脱離に伴いGeO 2膜中には酸素欠損による欠陥が形成され,サブギャップ領域の光吸収として検出される。GeO 2上のキャップ層導入や,熱処理中の酸素分圧制御によりGeO脱離に伴う欠陥形成を抑制し,電気特性の大幅な改善を実証した。またHigh-k膜の共存による界面制御性の向上の可能性も示した。
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