| 研究課題/領域番号 |
19686043
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
高村 由起子 (山田 由起子) 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 講師 (90344720)
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| 研究協力者 |
BERA SAMBHUNATH 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 研究員
FLEURENCE ANTOINE 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 研究員
KHATUA MADHUSMITA 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 研究員
張 文勇 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)
2009年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2008年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2007年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | MBE / エピタキシャル / 走査プローブ顕微鏡 / 超薄膜 / エピタキシー / 走杳プローブ顕微鏡 / 薄膜 / 化学気相成長 / 表面 / 界面 / MBE, エピタキシャル / MBE,エピタキシャル |
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| 研究概要 |
薄膜中への酸素や水分の混入を防ぎ、かつ、成長表面のその場観察が可能な気相成長装置を立ち上げ、高融点かつ高電気伝導性を有する二ホウ化ジルコニウムの薄膜をシリコン、サファイア、窒化ガリウム上にエピタキシャル成長した。成長中の表面再構成構造のその場観察から、基板由来の元素が表面反応に大きく寄与していること、また、基板-ホウ化物結晶の界面構造の安定性が薄膜中の結晶の配向を支配していることが明らかとなった。
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