| 研究課題/領域番号 |
19710088
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 大阪大学 (2008)
東京大学 (2007) |
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研究代表者 |
中村 芳明 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (60345105)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
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| キーワード | ナノ構造形成・制御 / ナノ磁性 / ナノ材料 / 自己組織化 / MBE、エピタキシャル / シリサイド材料 / Si系材料 / Siデバイス / ナノドット / Si系デバイス |
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| 研究概要 |
極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe3Si ナノドットを超高密度(>10^>12cm-2)に形成する技術を開発した。鉄とSiの組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nm サイズの半球状Fe3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe_3Siナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成する技術を開発した。鉄とSi の組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nmサイズの半球状Fe_3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。
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