研究課題
若手研究(B)
半導体の格子ひずみと電子物性の関係は、微細化を伴わないキャリア移動度の向上などの点から電子デバイスの性能向上等において重要視されている。しかし実際のデバイス開発では経験や不十分な第一原理計算に頼るしかないのが現状であり、第一原理計算のミクロスコピックな実験的検証が望まれている。本研究では応力により可逆的な格子ひずみを半導体試料に印加できるサンプルホルダーを開発し、それを用いて操作トンネル顕微鏡(STM)や角度分解光電子分光方(ARPES)といった手法でひずみ半導体の構造および電子状態を直接観察することを試みた。
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http://www.tac.tsukuba.ac.jp/sekiba/
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