| 研究課題/領域番号 |
19740192
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
下谷 秀和 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (60418613)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,610千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
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| キーワード | 電気二重層トランジスタ / 有機トランジスタ / 分子性固体 / 電界効果トランジスタ / 電界効果ドーピング / 電解質ゲート / 有機FET / 電子相転移 / 酸化物半導体 / 電気二重層 / EDLT / FET / キャリアドーピング / 電気化学 |
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| 研究概要 |
本研究では、静電的に物質表面に電荷を蓄えることにより、その物質の電気的性質を変化させることを目的とした。そのための方法として、従来の電界効果トランジスタを改良し、物質と電解液の界面に形成される電気二重層とよばれるキャパシタを利用した電気二重層トランジスタを確立した。その結果、有機トランジスタの超低電圧駆動、酸化物半導体の絶縁体から金属への電子相転移を実現した。これは、今後様々な物質で新電子相の探索を可能にするものである。
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