| 研究課題/領域番号 |
19740197
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
須崎 友文 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (20332265)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,570千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2007年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | 酸化物エレクトロニクス / 二次元系 / 結晶成長 / 強相関電子系 / 低次元系 |
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| 研究概要 |
研究成果の概要:遷移金属酸化物を用いたトンネルトランジスタの実現を目指し、チタン、バナジウム、マンガン酸化物などの酸化物薄膜をレーザーアブレーション法により精密に作製した。分極積層の効果を利用した界面における局所的なホールドープに成功し、広く研究されているバンド絶縁体に加え、モット絶縁体への局所的ドープが可能であることを示した。さらにショットキー接合における負性抵抗実現、ダイオードの極性の温度による反転などの特異な現象を見出した。
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