| 研究課題/領域番号 |
19740226
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
松野 丈夫 独立行政法人理化学研究所, 高木磁性研究室, 専任研究員 (00443028)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,600千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 300千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
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| キーワード | 強相関系 / パルスレーザー堆積法 / エピタキシャル薄膜 / 強相関電子系 |
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| 研究概要 |
パルスレーザー堆積法によりバルク合成不可能なイリジウム酸化物単結晶薄膜を作製した。新規スピネル酸化物Zn_<1-x>Li_xIr_2O_4(0 <= x <= 1.0)において、バンド絶縁体である3価のイリジウム酸化物ZnIr_2O_4にホールをドープすることで伝導度が増大したが、全組成領域で半導体的な伝導を示すことを見出した。ペロブスカイト酸化物SrIrO_3が金属伝導を示す一方でホール係数が降温にしたがって増大する振舞いを見出し、SrIrO_3の輸送現象において強いスピン・軌道相互作用が何らかの役割を果たしている可能性を示唆する結果を得た。
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