| 研究課題/領域番号 |
19740243
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
数理物理・物性基礎
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
松下 勝義 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 産総研特別研究員 (60422440)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,630千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
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| キーワード | 磁壁運動 / スピントルク / 磁壁抵抗 / LLG方程式 / 磁壁 / シミュレーション / 双極子相互作用 / 磁気相図 / 有限サイズ効果 / ピン止め |
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| 研究概要 |
金属磁性体、希薄磁性半導体中における電流駆動磁壁運動の実験で観測されている性質を説明するため乱雑磁場によりピン止めされた磁壁の運動の理論的研究行った。数値計算による研究で磁壁の内部自由度が磁壁のダイナミクスに重要な役割を果たしていることが明らかにされ、そのため既存のランダム磁場中のIsing 模型や細線の磁壁にたいするスロンチェフスキの議論では知られていない不連続転移的な磁壁のデピンイング転移や磁壁そのものの電流誘起の変形現象などが明らかとなった。
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