| 研究課題/領域番号 |
19760028
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 分子科学研究所 |
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研究代表者 |
高木 康多 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (30442982)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 570千円)
2009年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2008年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2007年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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| キーワード | 半導体表面 / ドーパント / 元素識別 / 走査トンネル顕微鏡 / 放射光 |
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| 研究概要 |
銅を吸着させたGe(111)表面において放射光照射下での走査トンネル顕微鏡観察をおこない原子分解能を持つ像の取得に成功した。また銅とGeの領域から得られる信号強度およびその強度差と照射x線光強度との関係を調べ、それらがx線の強度に比例することが明らかとなった。一方、Ge(111)清浄表面部分では硬x線照射下で表面の原子が頻繁に移動し短時間でc(2x8)構造が壊れることが明らかとなった。
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