| 研究課題/領域番号 |
19760035
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
富田 卓朗 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 助教 (90359547)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,630千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
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| キーワード | フェムト秒レーザー / ワイドバンドギャップ半導体 / シリコンカーバイド / 改質技術 / 電気伝導度 / 接触抵抗 / 電極 / レーザー照射 |
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| 研究概要 |
フェムト秒レーザー照射によるワイドバンドギャップ半導体材料の物性改質を行うことを目標として研究を行ってきた。シリコンカーバイドの半絶縁性基板にイオン注入を行い、その上に電極作製を行い、良好な電極を得ることが出来た。この電極を作製した半絶縁性基板に顕微光学系を用いてフェムト秒レーザー照射を行い、電気伝導率の変化を評価したところ、電気伝導率の有意な向上を見出した。さらに、赤外反射分光法を用いたフェムト秒レーザー改質部の評価から、シリコンカーバイドの赤外反射特性の制御が可能であることを明らかにした。
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