研究課題
若手研究(B)
スピン注入デバイスの実現化に有力な候補である強磁性Fe/III-V 半導体ハイブリッド構造の相平衡を,第一原理計算及びCALPHAD 法から計算した.Al-As-Fe-Ga-In 系を対象として,各二元系及び三元系のモデリングを行い,特にFe/InAs 構造とFe/GaAs 構造作製時に形成される化合物の解明や,結晶成長の最適温度に関しての知見を得た.
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Materials Transactions Vol. 50(印刷中)
10024815248
Materials Transactions 50
ページ: 2751-2759
Journal of Crystal Growth 310
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