| 研究課題/領域番号 |
19760211
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
酒井 正俊 千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (60332219)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,660千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2007年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 分子性固体 / モット絶縁体 / 先端機能デバイス / 金属絶縁体転移 / 電界効果トランジスタ / 電荷移動錯体 / 電界誘起相転移 / モット転移 / 有機デバイス / 有機トランジスタ / 両極性 |
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| 研究概要 |
電子相関が電子物性を支配する有機モット絶縁体を用いて電界効果トランジスタ構造を形成し、ゲート電界による物性制御とそのデバイス特性の研究を行った。ゲート電界により誘起される電子・正孔の電界効果移動度の温度依存性をそれぞれ明らかにした。従来より知られていたバルクの金属絶縁体転移は、電子移動度の温度依存性により説明されることが明らかとなった。また、280K および250K 付近で、従来知られていなかった相転移が観測された。また、キャリアドープによるデバイス特性の変化を明らかにした。
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