| 研究課題/領域番号 |
19760215
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
加藤 正史 名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (80362317)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
3,830千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | 作成 / 評価技術 / SiC / 過剰キャリアライフタイム / 評価 / 欠陥 / Sic |
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| 研究概要 |
本研究はシリコンカーバイト(SiC)デバイスの性能を劣化させる欠陥の同定を目指し、ミクロンオーダーの分解能を有する過剰キャリアライフタイムマッピング装置の作製をしたものである。その結果、シリコン試料におけるライフタイムマップの取得に成功したが、SiCの評価には改善が必要であることが判明した。その一方、様々な欠陥濃度を有するp型SiCの評価を行うことで、炭素に関連する結晶欠陥がp型SiCにおけるキャリアライフタイムに影響することを明らかにした。
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