| 研究課題/領域番号 |
19760219
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
村上 秀樹 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,540千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 240千円)
2008年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2007年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
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| キーワード | 有機金属錯体 / ゲート絶縁膜 / 高誘電率絶縁膜 / ALCVD / 高誘電率ゲート絶縁膜 / MOCVD |
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| 研究概要 |
La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。
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