| 研究課題/領域番号 |
19760222
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 上智大学 |
|---|
研究代表者 |
内田 寛 上智大学, 理工学部, 助教 (60327880)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,230千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 330千円)
2008年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2007年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
|
|---|
| キーワード | 超臨界流体 / 薄膜 / 酸化物 / 二酸化炭素 / 半導体デバイス / シリコンウェハー / 有機金属化合物 / 金属板 |
|---|
| 研究概要 |
超臨界流体応用の技術を利用し、従来の手法よりも低温での無機材料薄膜合成プロセスの構築を検討した。超臨界二酸化炭素(CO2)流体中においてSi ウェハ、Pt, Cu, Al、SUS、ナイロン系高分子等の基板物質は約200℃程度まで変質せず安定に存在した。一方、有機金属化合物Ti(O・i-C3H7)2(C11H19O2)2等のβ-ジケトン錯体は約100℃付近から分解を開始し、薄膜状の結晶質酸化チタンTiO2(anatase)堆積物を形成した。
|
