| 研究課題/領域番号 |
19760224
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
長田 貴弘 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 研究員 (10421439)
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| 研究協力者 |
知京 豊裕 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, センター長 (10354333)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,170千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 270千円)
2008年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2007年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) / ワイドバンドギャップ半導体 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / ワイドバンドギャップ / センサー / 金属 / 半導体界面 |
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| 研究概要 |
酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体は、これまで光学応用が主であったが、近年、電子デバイス用の材料としても注目されており、電気特性制御、電極材料の最適化は重要な技術である。そこでZnOのショットキーダイオードを作成し、金属/酸化物界面における界面構造の変化と電気特性への影響を明らかにし、紫外光応答と共に、水素への応答を確認した。
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