| 研究課題/領域番号 |
19760225
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
松田 健一 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 助教授 (80360931)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,720千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2007年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
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| キーワード | スピントロニクス / ハーフメタル強磁性体 / ホイスラー合金 / カーボンナノチューブ / 強磁性トンネル接合 / エピタキシャル成長 / ハーフメタル / トンネル磁気抵抗 |
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| 研究概要 |
本研究の成果は、電極として採用したハーフメタル系強磁性材料Co2MnSi、Co2MnGe、Co2Cr0.6Fe0.4Al のエピタキシャル成長に成功したこと、またその高いスピン偏極率を、強磁性トンネル接合の電気伝導特性を通して明らかにしたことである。電子スピン検出を行うには、高い偏極率を有する強磁性材料を単結晶成長することが重要であり、本研究においてCo 系ホイスラー合金の潜在的な能力の高さを示すことができた。
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