| 研究課題/領域番号 |
19760235
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
石川 博康 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20303696)
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| 連携研究者 |
原 陽介 (株)シリコンテクノロジー
中西 正美 (株)シリコンテクノロジー
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,520千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2007年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / ポーラスSi / 窒化ガリウム(GaN) / 有機金属気相成長(MOCVD) / 陽極化成 / エピタキシャルSi |
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| 研究概要 |
廉価・高性能な発光ダイオード(LED)の実現に向け、新たな基板(ポーラスSi(PSi))を作製し、この上にLED用半導体材料(GaN)を形成する実験を行った。従来問題となった反りおよび歪みが低減され優れた発光特性を得たが、ヒビやポンホールが観察され平坦性が悪かった。調査したところPSi基板が高温時に変形することが原因であることがわかった。この変形を抑制することで上記問題が大幅に改善された。
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