収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製

• 研究課題/領域番号: 19760237
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 平間 一行 早稲田大, 理工学術院, 助手 (50434329)
• 研究期間 (年度): 2007
• 研究課題ステータス: 完了 (2007年度)
• 配分額: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円); 2007年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)