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収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製
研究課題
サマリー
2007年度
基礎情報
研究課題/領域番号
19760237
研究種目
若手研究(B)
配分区分
補助金
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
早稲田大学
研究代表者
平間 一行
早稲田大, 理工学術院, 助手 (50434329)
研究期間 (年度)
2007
研究課題ステータス
完了 (2007年度)
配分額
*注記
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2007年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)