| 研究課題/領域番号 |
19760244
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
井手 利英 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員 (90397092)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,610千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
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| キーワード | GaN / AlGaN / トランジスタ / ノーマリーオフ / 短ゲート長化 / オン抵抗 / AIGaN / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 |
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| 研究概要 |
GaN トランジスタのノーマリーオフ化,低オン抵抗化を微細加工技術の導入により実現した.ノーマリーオフ化はゲートリセス構造を用いることでしきい値電圧+0.5V を実現した.低オン抵抗化についてはゲート長等の素子寸法を短縮することで0.1mΩ・cm2 を実現した.またこれらを両立するゲート構造を提案し電磁界解析,実験ともに実証した.
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