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窒化物系半導体トランジスタのノーマリーオフ・低オン抵抗化

研究課題

研究課題/領域番号 19760244
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所

研究代表者

井手 利英  独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員 (90397092)

研究期間 (年度) 2007 – 2008
研究課題ステータス 完了 (2008年度)
配分額 *注記
3,610千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 210千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
キーワードGaN / AlGaN / トランジスタ / ノーマリーオフ / 短ゲート長化 / オン抵抗 / AIGaN / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化
研究概要

GaN トランジスタのノーマリーオフ化,低オン抵抗化を微細加工技術の導入により実現した.ノーマリーオフ化はゲートリセス構造を用いることでしきい値電圧+0.5V を実現した.低オン抵抗化についてはゲート長等の素子寸法を短縮することで0.1mΩ・cm2 を実現した.またこれらを両立するゲート構造を提案し電磁界解析,実験ともに実証した.

報告書

(3件)
  • 2008 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 研究成果

    (5件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (4件)

  • [雑誌論文] Low on-resistance AlGaN/GaN HEMTs by reducing gate length and source-gate length2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ide, M. Shimizu, S. Yagi, M. Inada, G. Piao, Y. Yano, N. Akutsu, H. Okumura, and K. Arai
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol. 5, No. 6

      ページ: 1998-2000

    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] AlGaN/GaNMOS-HFET へのCF4 プラズマ表面処理の効果2009

    • 著者名/発表者名
      井手 利英,浜名 通徳,朴 冠錫,八木 修一,矢野 良樹,清水 三聡
    • 学会等名
      第56 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] AIGaN/GaN MOS-HFETへのCF_4プラズマ表面処理の効果2009

    • 著者名/発表者名
      井手 利英
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMT へのプラズマCVD によるSiN 表面保護膜形成2008

    • 著者名/発表者名
      井手 利英,清水 三聡,八木 修一,朴 冠錫,生方 映徳,矢野 良樹,奥村 元,荒井 和雄
    • 学会等名
      第55 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      埼玉大学
    • 年月日
      2008-03-29
    • 関連する報告書
      2008 研究成果報告書
  • [学会発表] AIGaNIGaN HEMTへのプラズマCVDによるSiN表面保護膜形成2008

    • 著者名/発表者名
      井手 利英
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-29
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

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公開日: 2007-04-01   更新日: 2016-04-21  

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